Bueno, pues......MISTERIO RESUELTO

Ademas de la hoja de datos conviene leerse despacio las notas de aplicacion. La que puse en el enlace unos posts mas arriba dice:
"before any upper MOSFETs can initially be gated, time must
be allowed for the upper bootstrap supply to reach full
voltage"

Y tambien dice:
"A value of bootstrap capacitance about 10 times greater
than the equivalent MOSFET gate-source capacitance is
usually sufficient

and prevents the drop in bootstrap supply
voltage from exceeding 10% of the bias supply voltage
during turn-on of the MOSFET."
Los fallos eran:
- Excesivo valor de los condensadores de bootstrap. Los tenia a 1uF cuando la capacitancia gate-source de los mosfets es del orden de pF.
- Poco tiempo para inicializacion. Por lo anterior, no daba tiempo a la carga del condensador, con lo que su potencial no era el correcto en el primerisimo disparo de los mosfets.
Menos condensador y un poco mas de tiempo de inicializacion han resuelto la papeleta.
Gracias a todos los participantes. Voy a dar el siguiente paso; prototipo. Os mantendre informados, que veo a mas de uno con interes.

Edito: La ronda la tiene pagada Leix

. Mira que lo dijo al principio:
"" Otra de las ventajas es que puedes usar un duty cycle del 100% pues no tienes que esperar que se cargue el cap de bootstrap para el lado alto. ""